4、损耗电容在电场影响下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。
因此在同等耐电压绝缘水平和尺寸条件下，根据本公司SC
9、SC10二个系列与OVDT干式变压器系列对比计算分析和制造试验验证，OVDT系列干式变压器的损耗较环氧浇注式干式变压器大15％～20％。另一方面，在同等绝缘水平和尺寸条件下，同样的绝缘等级(H级)，由于环氧浇注干式变压器的额定损耗和额定温升低，具有节约能源、环保的亮点，同时由于额定温升低，其过载性能强。
Hisilicon(海思半导体)：Hi3507,Hi3511,Hi3512,Hi3515,Hi3515A,Hi3516,Hi3516C,Hi3518A,Hi3518C,Hi3520,Hi3520A,Hi3520D,Hi3521,Hi3531,Hi3532Grain(智源)： GM8125,GM8126,GM8128, GM8187,GM8186Ti（德洲仪器）：TMS320DM365ZCE30,TMS320DM368ZCE,TMS320DM368ZCEF(带面部识别功能)，TVP5150AM1，TVP5158PNPRIntersil（英特矽尔）（原Techwell-美国特威）:TW2700,TW2826,TW2866R,TW2867,TW2868,TW2835,TW2834,TW2864B,TW2864H,TW2964,TW2968Coexant（科胜讯）: CX25824-11Z,CX25828-11Z,CX26824,CX26828Netchip: NVP1104B,NVP1108B,NVP1108,NVP1114A,NVP1114B,NVP1118B,NVP1914,NVP1918,NVC1700Hynix（海力士）：H5PS5162FFR-S5C,H5TQ1G63BFR-G7C, H5TQ2G63DFR-PBCSamsung（三星）：K4T1G164QF-BCE7,K4T1G164QF-BCF7,K4B1G1646G-BCKO,K4B2G1646C-HCMA,Nanya（南亚）： N2TU51216DG-AC , NT5TU32M16DG-3C ,Spansion（飞索半导体）：S29GL064N90TFI040 , S29GL128P10TFI010, S29GL256N10TFI010Winbond（华邦）: W25Q128BVFIGMXIC（旺宏）: MX25L6406EM2I-12G , MX25L12835FM2REALTEK（瑞昱）: RTL8188 RTL8189 RTL8211E/RTL8152B/RTL8105E/RTL8211F RTL8201CP SMSC: LAN8710ATOSHIBA (东芝) ：TC58NVG1S3ETAOO MPS（美国芯源）: MP1482 , MP1484 , MP1470 , MP1471 ,MP1496 , MP1493SENSOROmniVision： OV7725 OV7720 (30万像素 VGA模式) OV9712 OV9715 OV9710 (100万像素 720P ) OV2715 OV2710 OV2643 (200万像素 1080P )APTINA (镁光)：AR0330 AR0331 AR0130MIMAX： HM1375-ANASONY： IMX122
从总体来看，2015中国制造业企业500强的总体经济效益延续了去年经济效益上涨的态势，虽然增幅有所降低，但也说明我国制造业企业正在一步步从前期恶劣的国内外经济态势中寻求新的发展路径，重拾发展信心，逐步摆脱国际金融危机的。
的原因，是凹槽底部的等离子体密度随深度的增加减小，相应地，鞘层的扩展速度增加，而且导致鞘层堆叠的程度增加，虽然正对弧源的离子数公相同，但离子在传输过程中，由于碰撞作用导致部分改变方向而注入侧面，因此凹槽探度增加，注入电流降低。
失的情况下有25n*提前动作出口现象，厂家应在进行动棋试验中找程序逻辑判断处理变压耨保护VFC采样零漂异常应具有与门槛比较的报警功能，以便于VFC采样回路偏置电压回路出现异常时可以及时发现3.2从运转维护的检与管理角度分析3.2.1变压器零序过压保护应采用PT开口3U0，目前仍采用自产31的变压IS零序过压保护装置，应尽快改造3.2.2强化微机保护装置电压电流回路求和自检功能的全面测试，把保护装置零漂、刻度的检作为保护定检的重要项目，保证采样回路异常时可以及使报警，对出现异常。2017年8月中国集成电路产量达到151.7亿块，同比增长29.9%。2017年1-8月中国集成电路累计产量已超1000亿块，达到1030亿块，累计增长24.7%。从出口来看，8月中国出口集成电路18139百万个，同比增长12.8%；1-8月中国出口集成电路131521百万个，与去年同期相比增长13.9%。
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